━ 频率范围:1.5kHz至40MHz(可定制)
━ 低电压噪声(0.85 nV/√Hz @ 1MHz)
━ 低电流噪声(20 fA/√Hz @ 10kHz)
━ 紧凑型结构设计
━ 单 / 双通道配置,配备SMA接口
下图展示了设备的内部结构。输入级由预选的低噪声场效应晶体管(FET)构成,后级接有放大电路和缓冲电路。独立的反馈回路可确保偏置点良好平衡,即使在低温冷却操作条件下也能保持稳定。
主要目标应用为高阻抗源的小信号放大,例如:
━ FT-ICR)检测池
━ 光电倍增管(Photomultipliers)
━ 其他高阻抗传感器
电压放大倍数-频率特性曲线(默认标准版本)
测试条件:环境温度 T=297 K,负载阻抗 50 Ω
室温条件下典型电压噪声密度
(1)精密实验
━ Penning trap驱动电压 - 用于BASE重子反重子对称性实验
━ 混合阱驱动 - 用于冷分子离子-中性粒子碰撞研究
━ 扫描探针显微镜驱动 - 用于氢键分子单层图案化制备
(2)离子阱驱动与束流整形