━ 频率范围:0.5 kHz - 4 MHz
━ 低电压噪声:0.6 nV/√Hz @ 1 MHz(单通道模式下)
━ 低电流噪声:12 fA/√Hz @ 10 kHz
━ 放大倍数:250倍(可定制)
━ 紧凑型结构设计
━ 单 / 双通道配置,配备SMA接口
下图展示了设备的内部结构。该前置放大器由一或两个独立信号通路组成,采用共电源电压供电。输入级由预选的低噪声场效应晶体管(FET)构成,后级接有放大电路和缓冲电路。独立的反馈回路可确保偏置点良好平衡,即使在低温冷却操作条件下也能保持稳定。
双通道版本内部采用对称结构设计,支持以下输入方式:
━ 单输入端独立信号输入
━ 双输入端同步信号输入(例如反相信号)
(1)电压放大倍数-频率特性曲线
测试条件:供电电压:+12V/-3V,环境温度:297 K,负载配置:高阻抗(1MΩ, 50pF)及50Ω负载
(2)电压放大倍数-正电源电压特性
测试条件:f = 100kHz,while VSS = -3V(固定值)
(3)正电源电流-正电源电压特性曲线
测试条件:输出空载,VSS=-2.5V(固定值)
(4)双通道模式下的通道间串扰-频率特性曲线
测试条件:上曲线:输入端接 100pF vs. GND;下曲线:输入端接 50Ω vs. GND
(5)室温条件下电压噪声密度(双通道模式)
测试条件:VSS = -2.5V。若使用标配电源(PR-E电源)或PRE-SMA版本,适用下部曲线
(6)室温条件下电流噪声密度(双通道模式)
室温条件下电流噪声密度(双通道系统中的单通道),测试条件:供电电压±5V
(7)室温条件下电压噪声密度(单通道模式)
室温条件,不同正电源电压下的电压噪声密度(双通道版本,双通道并联工作)
测试条件:VSS = -2.5V。若使用标配电源(PR-E电源)或PRE-SMA版本,适用下部曲线。
(8)室温条件下电流噪声密度(单通道模式)
室温条件下电流噪声密度(双通道并联工作)
(1)精密实验
━ Penning trap驱动电压 - 用于BASE重子反重子对称性实验
━ 混合阱驱动 - 用于冷分子离子-中性粒子碰撞研究
━ 扫描探针显微镜驱动 - 用于氢键分子单层图案化制备
(2)离子阱驱动与束流整形