低温滤波器(MFT)提供单路与多通道集成两种可选形式。产品采用非磁性镀金铜外壳,具备优良的屏蔽性能与坚固的机械结构。它将高效的电子热化与超强的微波衰减集于一体,具有高衰减、低截止频率、强热化的显著特点,是毫开尔文乃至亚毫开尔文温区实验的理想选择。

单路低温滤波器主要特点:
■ 单路微波滤波器及热化器(MFT)
■ SMA、SMP、SMPM、MCX 及其他射频连接器
■ 非磁性镀金铜外壳
■ 屏蔽性好、机械结构坚固
■ 通过连接器在 mK 温度下易于实现热化
我们的 MFT 系列产品优势:
■ 指数级强衰减,无谐振干扰
■ 从约 50 MHz 开始,提供超过 100 dB 的衰减
■ 强效热化性能
■ 适用于高电流应用,超低电阻:在 4 K 温度下约为 30 mΩ
■ 超低电容,降低电流测量中的噪声:在 4 K 温度下约为 1.2 nF
单阶/单路MFT滤波器规格

截止频率可能存在约 ±25% 的浮动;
** 基于输入阻抗为 1 MΩ 时的测量值提取;所有其他截止频率均基于输入阻抗为 50 Ω 时的测量值提取(典型频谱图见下文);
*** 10 mK 温度下的最大电流值根据将功耗控制在 10 µW 以下的条件计算得出。

图表展示了单个 MFT 滤波器在室温下的典型衰减特性曲线。测量采用 50 Ω 输入的矢量网络分析仪进行。对于 100 Ω 滤波器(蓝色曲线),在 10 MHz 以下频段则使用输入阻抗为 1 MΩ 的频谱分析仪进行测量。免责声明:测量结果取决于整体测试装置及负载阻抗(包括实部和虚部)。
− 低温物理学研究
− 超导电子学
− 量子计算和量子信息处理
− 射频通信、雷达系统
(一)单阶MFT滤波器的典型衰减特性

图表展示了单个MFT滤波器在室温下的典型衰减特性曲线。测量采用输入阻抗为50 Ω的矢量网络分析仪进行。对于100 Ω滤波器(红色曲线),在10 MHz以下频段使用的是输入阻抗为1 MΩ的频谱分析仪。免责声明:测量结果取决于整体测试装置及负载阻抗(包括实部和虚部)。图中观察到的跳变是由于输入阻抗从1 MΩ切换至50 Ω所引起的。
(二)集成 RCRC 的单个 MFT 滤波器在室温下的典型衰减特性

图表显示了单阶MFT滤波器与RCRC-1、RCRC-5和RCRC-30级联的典型衰减特性。测量时使用了具有1 MΩ输入阻抗的频谱分析仪。